這一點很重要，外延片刻蝕設(shè)備因為鍺的多層結(jié)構(gòu)一般是外延產(chǎn)生的，而鍺的感應(yīng)層和層間結(jié)構(gòu)一般都是合金材料，選擇高比例的工藝可以更好地控制這種多層結(jié)構(gòu)的刻蝕。我們知道CF4也是一種高活性化學(xué)蝕刻氣體。從效果上看，在CF4中加入人氧的蝕刻選擇率較高，因為氧氣更容易與底層材料(Sn)發(fā)生反應(yīng)，形成表面保護膜，防止進一步蝕刻，提高了選擇率。CF4蝕刻的形貌較好，而氯蝕刻的優(yōu)點是損傷小，有利于界面層和通道層。
硅片作為晶圓制造的原材料，外延片刻蝕機器其質(zhì)量的好壞直接決定了晶圓制造的穩(wěn)定性。90%以上的半導(dǎo)體芯片是由硅片制成的。所生產(chǎn)的半導(dǎo)體硅片可分為拋光硅片、退火硅片、外延硅片、分段硅片和絕緣體硅片。其中，一些拋光片應(yīng)用廣泛，數(shù)量也大，其他半導(dǎo)體硅產(chǎn)品也是在拋光片的基礎(chǔ)上進行二次加工。
因為金剛石膜可以很難保持涂層、光學(xué)窗口、散熱材料、微電子等許多類別，外延片刻蝕機器所以科學(xué)家們認(rèn)為當(dāng)人類掌握金剛石膜的制備技能，尤其是單晶金剛石膜的制備技能時，但目前關(guān)于金剛石膜的等離子體化學(xué)氣相積累機理尚不清楚，特別是單晶金剛石膜的異質(zhì)外延困難，主要原因是:低溫等離子體處于熱非平衡狀態(tài)，所使用的反應(yīng)氣體也是多原子分子，反應(yīng)體系復(fù)雜，缺乏基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
硅大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體激光器的發(fā)明，外延片刻蝕設(shè)備使世界進入了以微電子、光電子技術(shù)為基礎(chǔ)的信息時代，極大地促進了社會經(jīng)濟的發(fā)展。分子束外延技術(shù)是制造雙異質(zhì)結(jié)激光器的關(guān)鍵技術(shù)。1968年，貝爾實驗室的卓義和發(fā)現(xiàn)，通過仔細控制光束的大小和時間，可以在超高真空容器中生長不同層和不同種類的半導(dǎo)體材料，從而發(fā)明了分子束外延技術(shù)。分子束外延器件原理圖如圖11所示。
外延片刻蝕機器
干蝕刻的電感耦合體硅腐蝕硅蝕刻機,使用哈佛商業(yè)評論/ O2氣體過程中,側(cè)墻和門硬掩模層選擇率高,能有效防止polysilicide門的接觸,避免在隨后的外延過程中,多余的硅鍺的生長缺陷在城門口。這種鍺硅過剩的缺陷會導(dǎo)致柵極和通孔的短路故障。濕法蝕刻采用四甲基氫氧化銨，無色或淡黃色液體，具有類似胺味，易溶于水，其溶液為強堿性溶液，在半導(dǎo)體中除常用作顯影劑經(jīng)曝光工藝外，也常用作硅蝕刻液。
蝕刻條件:Cl2:CH4:Ar=12∶12:3,4 mt, TCP為0 w，偏置電壓為300 v，計算蝕刻速率為8600/min, SiN的選擇比為10∶1，可以滿足當(dāng)前工藝的要求。但是這種方法的缺點也很明顯:副產(chǎn)物完全揮發(fā)，對圖的側(cè)壁保護不夠，導(dǎo)致整體形狀會凹進去。然而，無論是作為柵極、外延層還是掩膜，這種形貌都難以滿足器件的性能要求。
特斯拉在業(yè)內(nèi)率先使用碳化硅(SiC)代替IGBT，但為了提高5%的續(xù)航里程，其成本是IGBT的幾倍。由于特斯拉的引導(dǎo)作用，地球上采用碳化硅作為動力裝置的速度可能加快了一倍。這不僅對電動汽車行業(yè)，而且對其他行業(yè)的節(jié)能減排有著巨大的積極的促進作用。碳化硅動力器件在新能源汽車及其配套領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。氮化鎵在微波射頻領(lǐng)域是一種備受追捧的新材料。氮化鎵襯底材料生長困難，主要是在非均相襯底上外延生長。
這種材料結(jié)構(gòu)的表面層向外延伸，在材料的頂部形成活性層，使橡膠能夠被印刷、粘合和涂覆。采用等離子清洗機進行橡膠表面處理，操作簡單，清洗效果好，工作效率高，運行成本低。使用等離子清洗設(shè)備會使材料表面產(chǎn)生各種物理化學(xué)變化，或腐蝕，或形成致密的交聯(lián)層，使其具有親水性。綁定屬性?？扇旧摹Ｉ锵嗳菪院碗娦阅艿玫搅烁纳?。采用等離子清洗機對硅橡膠進行表面處理，產(chǎn)品表面的親水性和附著力會顯著提高，表面一層不隨時間恢復(fù)。
外延片刻蝕
為了避免物理轟擊對元器件成型電路帶來不可預(yù)知的損壞，外延片刻蝕現(xiàn)在主流的等離子清洗機逐漸采用微波等離子清洗機(百度search)。其優(yōu)點是表面電子能比射頻小2個數(shù)量級，對目標(biāo)可以說是無損的。。磷化銦不僅可以作為外延層的襯底材料，而且本身也可以作為通道材料或電極材料，所以與其他三組和五組材料相比，磷化銦材料等離子體刻蝕清洗機等離子體刻蝕的研究也更多。用CH4和H2蝕刻磷化鋼是較早的方法。
