等離子去膠機在晶圓制造工藝中扮演著重要的角色。晶圓去膠是一個重要的步驟，它用于去除晶圓表面的膠層，以便進行后續(xù)的加工和制造步驟。
光刻膠（PR, Photo Resist）是半導體晶圓制造的核心材料，在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%。在光刻環(huán)節(jié)里有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠去膠工藝在離子植入或刻蝕之后，晶圓表面剩余光刻膠和殘余物需要通過去膠工藝進行完全清除。為了清除光刻膠、顆粒、污染物、殘余物和其他無用材料，必須在制造過程中對硅片清洗，提高芯片成品率。
半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快，不需引入化學物質(zhì)，減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中最好，有效且高效的半導體光刻膠去除工具，具有高效、均勻、無損傷等特點。
等離子干式去膠工藝優(yōu)勢： 徹底去膠且速度快：等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快。
無需引入化學物質(zhì)：這種方法不需要引入化學物質(zhì)，從而減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷。
成品率高、工序簡單、時間短：等離子體去膠法是一種干式法，具有成品率高、工序簡單、時間短的優(yōu)點。
操作較安全、重復性好：這種方法的操作較安全，重復性好。
無需進行廢液處理：等離子體去膠法無需進行廢液處理。
環(huán)保干凈，清洗過程可控性非常強：等離子干刻機的去膠只需氣體的參與，無需化學試劑的浸泡，無需烘干，整個處理環(huán)保干凈，清洗過程可控性非常強。
降低成本，提高產(chǎn)品的良品率以及生產(chǎn)效率：這種工藝還能夠降低成本，提高產(chǎn)品的良品率以及生產(chǎn)效率。
等離子干式去膠工藝適用多種場景： 半導體晶圓：半導體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業(yè)的重要清洗步驟。
硅基材料：硅基材料的晶圓表面去膠清洗。
砷化鎵、氮化鎵等：等離子去膠的工作原理是在真空狀態(tài)下，使得氣體產(chǎn)生活性等離子體，以此，在物理、化學雙重作用下對清洗的部件如砷化鎵、氮化鎵等進行表面的轟擊。
光刻膠：用于光刻膠去除。
碳化硅：用于碳化硅刻蝕。
硬掩膜層：用于硬掩膜層干法清除。
氧化硅或氮化硅：用于氧化硅或氮化硅刻蝕。
等離子去膠機采用高密度、低損傷等離子源設計，獨立腔室結構，用實現(xiàn)均勻的流場分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異，達到高水平的去膠速率。它在半導體器件制造過程中起著重要的作用，幫助提高生產(chǎn)效率并保持晶圓的質(zhì)量。
